505-直流電網(wǎng)及功率半導體器件研究博士后
科研團隊
直流研究中心
崗位職責
1.功率半導體器件(IGCT等)的設計、仿真、工藝、封裝研究;
2.集成電路芯片電源模塊和模擬電路設計、參數優(yōu)化、仿真分析;
3.功率半導體器件驅動(dòng)控制電路、高壓電源、器件測試平臺控制保護系統的研究;
4.新能源與直流電網(wǎng)關(guān)鍵裝備主回路方案設計、電氣參數計算、器件選型、功率模塊設計、仿真分析等研究。
任職要求
1.國內外正規全日制大學(xué)博士學(xué)位,電氣工程、電子工程、集成電路、控制工程等相關(guān)專(zhuān)業(yè);
2.熟悉功率半導體器件(晶閘管、IGBT、IGCT等)工作原理,熟悉直流電網(wǎng)及其裝備(如MMC、直流變壓器、直流斷路器等)工作原理,有相關(guān)工作經(jīng)驗者優(yōu)先;
3.具有團隊協(xié)作意識、較強的責任心、勤奮的工作態(tài)度和務(wù)實(shí)的工作作風(fēng)。
博士后職位
博后進(jìn)站說(shuō)明:
清華大學(xué)博士后進(jìn)站基本條件:博士應屆畢業(yè)生或獲得博士學(xué)位3年以?xún)?、年齡35周歲以下,所學(xué)專(zhuān)業(yè)與所招聘博后研究項目切合。
薪資說(shuō)明:
按照國家和清華大學(xué)博后規定享受相關(guān)待遇,并根據工作業(yè)績(jì)和貢獻從優(yōu)發(fā)放獎金。錄取后進(jìn)入清華大學(xué)博士后流動(dòng)站,可申請各類(lèi)博士后基金。出站后表現優(yōu)異者可留校工作。
應聘者可根據自身條件申報清華大學(xué)“水木學(xué)者”或國家“博士后創(chuàng )新人才支持計劃”并獲得相應資助。
博后期間享受清華大學(xué)教職工社會(huì )保險、住房公積金等;可申請清華大學(xué)周轉房,解決留京戶(hù)口及子女上學(xué)問(wèn)題。
職位類(lèi)別:
能源互聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)/政策研究員
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